[EST] Rams DDR SDRAM 256 Mo PC2100 (2)

Rams DDR SDRAM 256 Mo PC2100 (2) [EST] - Avis, estimations - Achats & Ventes

Marsh Posté le 11-12-2007 à 19:51:35    

Bonsoir,  
 
 
j'aimerai des estimations de ventes concernant :  
 
2 barrettes (une de marque siemens)  
 
Détails :  
 
Description du périphérique  
 
DIMM1: Siemens SDU03264D1B22MT-75  
 
Champ Valeur  
Propriétés du module mémoire  
Nom du module Siemens SDU03264D1B22MT-75  
Numéro de série E90A7B45h (1165691625)  
Date de fabrication Semaine 27 / 2002  
Taille du module 256 Mo (2 ranks, 4 banks)  
Type du module Unbuffered  
Type de mémoire DDR SDRAM  
Vitesse de mémoire PC2100 (133 MHz)  
Largeur du module 64 bit  
Voltage du module SSTL 2.5  
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)  
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh  
   
Performances mémoire  
@ 133 MHz 2.5-3-3-6  (CL-RCD-RP-RAS) / 9-10-2  (RC-RFC-RRD)  
@ 100 MHz 2.0-2-2-5  (CL-RCD-RP-RAS) / 7-8-2  (RC-RFC-RRD)  
   
Fonctionnalités du module mémoire  
Early RAS# Precharge Non géré  
Auto-Precharge Non géré  
Precharge All Non géré  
Write1/Read Burst Non géré  
Buffered Address/Control Inputs Non géré  
Registered Address/Control Inputs Non géré  
On-Card PLL (Clock) Non géré  
Buffered DQMB Inputs Non géré  
Registered DQMB Inputs Non géré  
Differential Clock Input Géré  
Redundant Row Address Non géré  
 
 
 
DIMM2: Hyundai HYMD232 646A8R-H  
 
Champ Valeur  
Propriétés du module mémoire  
Nom du module Hyundai HYMD232 646A8R-H  
Numéro de série Aucun(e)  
Date de fabrication Semaine 3 / 2003  
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)  
Type du module Unbuffered  
Type de mémoire DDR SDRAM  
Vitesse de mémoire PC2100 (133 MHz)  
Largeur du module 64 bit  
Voltage du module SSTL 2.5  
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)  
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
   
Performances mémoire  
@ 133 MHz 2.5-3-3-6  (CL-RCD-RP-RAS) / 9-10-2  (RC-RFC-RRD)  
@ 100 MHz 2.0-2-2-5  (CL-RCD-RP-RAS) / 7-8-2  (RC-RFC-RRD)  
   
Fonctionnalités du module mémoire  
Early RAS# Precharge Non géré  
Auto-Precharge Non géré  
Precharge All Non géré  
Write1/Read Burst Non géré  
Buffered Address/Control Inputs Non géré  
Registered Address/Control Inputs Non géré  
On-Card PLL (Clock) Non géré  
Buffered DQMB Inputs Non géré  
Registered DQMB Inputs Non géré  
Differential Clock Input Géré  
Redundant Row Address Non géré  
   
Fabricant du module mémoire  
Nom de l'entreprise Hynix Semiconductor Inc.  
Information sur le produit http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp  
 
 
 
En vous remerciant d'avance,  
 
 
Cordialement,  
 
 
DarK

Reply

Marsh Posté le 11-12-2007 à 19:51:35   

Reply

Marsh Posté le 17-12-2007 à 15:04:22    

UP

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Marsh Posté le 17-12-2007 à 15:22:11    

Dans les 10 euros la barrette ?

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